Робота присвячена дослідженню електричних властивостей двошарових структур оксид/CuInSe2-ZnIn2Se4, отриманих відпалом у повітрі монокристалічних зразків CuInSe2-ZnIn2Se4 при Т=620 оС протягом 20 хв та дослідженню їх вольт-амперних-характеристик.
Сполуки CuInSe2 та тверді розчини на їх основі, часто використовуються як матеріали поглинаючого шару тонкоплівкових гетеропереходів сонячних елементів. Ефективність фотоелектричних перетворювачів на основі цих сполук залежить як від методу отримання гетеропереходу, так і від типу гетеропереходу. Саме це і обумовлює розвиток нових методів отримання дво- та багатошарових структур та актуальність досліджень їх фізичних властивостей.
Результати експериментальних досліджень для монокристалів CuInSe2-ZnIn2Se4 з вмістом 10 мол.% ZnIn2Se4 представлені на рис.1. Результати для структур оксид/CuInSe2-ZnIn2Se4 з вмістом 5, 15, 20 мол.% ZnIn2Se4 мали аналогічний вигляд.
Рис. 1. Вольт-амперні характеристики поверхнево-бар'єрних структур Оx/CuInSe2-ZnIn2Se4 з 10 мол.% ZnIn2Se4
У результаті проведених досліджень та аналізу експериментальних результатів показано, що електричні властивості оксид/CuInSe2-ZnIn2Se4 залежать від складу монокристалів CuInSe2-ZnIn2Se4. Вони проявляють випрямні властивості. Коефіцієнт випрямлення для кращих структур при напрузі, близькій до напруги відсікання, становив 8. Прямі вітки вольт-амперних характеристик структур оксид/CuInSe2-ZnIn2Se4 добре описуються характерним для фотодіода експоненціальним рівнянням. Обернені вітки вольт-амперних характеристик структур оксид/CuInSe2-ZnIn2Se4 описуються степеневим законом, показник степеня у якому змінювався в залежності від напруги та компонентного складу кристалів CuInSe2-ZnIn2Se4. Електричні параметри структур оксид/CuInSe2-ZnIn2Se4 залежать від компонентного складу монокристалів підложки. Поверхнево-бар’єрні структури оксид/CuInSe2-ZnIn2Se4, отримані термообробкою CuInSe2-ZnIn2Se4 в повітрі, можуть знайти використання при розробці фотоелектроперетворювачів. Із аналізу літературних джерел [1-4] та аналізу наших результатів, можна зробити висновки, що зміна часу відпалу та температури відпалу призводить до зміни електричних властивостей Ox/CuInSe2-ZnIn2Se4.
Список використаних джерел
1. Effect of the preparation procedure and In2O3 thickness on the electrical and photovoltaic properties of In2O3/CuInSe2 heterostructures / M. A. Abdullaev, I. K. Kamilov, D. Kh. Magomedova [at al.] // Inorganic Materials. – 2004. – Vol.40, №11. – P. 1181–1185.
2. Випрямні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур, отриманих термообробкою монокристалів Cu1-xZnxInSе2 / В.В. Божко, О.В. Новосад, В.Р. Козер та ін. // Наук. вісн. Східноєвроп. нац. ун-ту ім. Лесі Українки: Фіз. науки. – 2013. – №. 26. – С. 10–15.
3. Получение и свойства изотипных гетероструктур на основе n-CuInSe2 // М. А. Магомедов, Г. А. Медведкин, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь / ФТП. – 1992. – Т. 26, № 3. – С. 556–558.
4. Влияние термического окисления на электропроводимость и фоточувствительность структур In2О3/CuInSе2 / М. А. Абдуллаев, И. К. Камишов, Дж. Х. Магамедова, П. П. Хохлачев // Неорг. мат. – 2007. – Т. 43, № 12. – С. 1424–1428.
